Тесты в играх
Измеренный нами FPS в популярных играх на Intel Core i5-3550 и соответствие системным требованиям
Обратите внимание, что официальные требования разработчиков в играх не всегда совпадают с данными реальных тестов. Также на результат сильно влияет разгон системы и графические настройки в игре
Мы тестируем на высоких настройках в разрешении FullHD, чтобы получить цифры, близкие к реальному геймплею.
В среднем по всем игровым тестам, процессор набрал 70.4 баллов из 100, где за 100 принят самый быстрый игровой процессор на сегодняшний день.
Выберите игруAquanox Deep DescentAssassin»s Creed ValhallaBaldur»s Gate 3Call of Duty Black Ops Cold WarCall of Duty Black Ops Cold War BetaCall of Duty Modern Warfare 2 RemasteredChronos Before the AshesCloudpunkCrysis: RemasteredCyberpunk 2077Death StrandingDesperados IIIDestroy All Humans!DIRT 5DisintegrationF1 2020Gears TacticsGhostrunnerGhostrunner DemoGodfallHavenHorizon Zero DawnHyper ScapeImmortals Fenyx RisingIron HarvestIron Harvest DemoKingdoms of Amalur Re-ReckoningMafia Definitive EditionMafia II Definitive EditionMaid of SkerManeaterMarvel’s AvengersMarvel’s Avengers BetaMedieval DynastyMicrosoft Flight SimulatorMortal Shell BetaPredator: Hunting GroundsProject CARS 3Saints Row The Third RemasteredSerious Sam 4Star Citizen 3.10.2Star Wars: SquadronsSyberia The World Before — PrologueThe Dark Pictures Anthology: Little HopeTorchlight IIITotal War Saga TROYWasteland 3Watch Dogs LegionXCOM Chimera SquadYakuza Like a Dragon
Сравнить
Комплектующие
Материнские платы
- Asus P8Z68-V GEN3
- MSI E3 KRAIT GAMING V5
- HP OMEN by HP Laptop 15-dc0xxx
- Intel NUC5i7RYB
- HP 580-023w
- Acer Aspire E1-522
- Gigabyte GA-Z77X-D3H
- Asus Z97-AR
Видеокарты
- FirePro V4900
- Quadro FX 3700M
- Radeon HD 7650M
- RTX 2060S (Super)
- HD 2500 (Desktop 1.05 GHz)
- HD 4000 (Desktop 1.15 GHz)
- GTX 1050-Ti
SSD
Мы собрали список комплектующих, которые пользователи наиболее часто выбирают, собирая компьютер на базе Core i5-3550. Также с этими комплектующими достигаются наилучшие результаты в тестах и стабильная работа.
Самый популярный конфиг: материнская плата для Intel Core i5-3550 — Asus P8Z68-V GEN3, видеокарта — FirePro V4900.
AMD Warhol
Самая загадочная линейка процессоров Warhol будет сочетать комбинацию архитектуры Zen 3 c 7-нм техпроцессом. Новинки 2021 года от AMD редко упоминаются в СМИ: о тестах и некоторых технических параметрах стало известно благодаря японским инсайдерам.
Американские блогеры дали Warhol второе название – VermeerRefresh. Это связано с тем, что презентация линейки будет проводиться сразу после показа процессоров серии Vermeer. Их архитектура и большинство характеристик, например, поддержка Express 4.0 и переход на оперативную память DDR5, будут идентичными.
Следовательно, появляется вопрос: зачем компания выпускает два устройства с похожими параметрами одновременно.
Несмотря на это японские digital-блогеры сообщают, что следующее поколение Rafael будет иметь либо встроенные десктопные процессоры, либо кардинальные изменения дискретной графики. По слухам, ожидается архитектура Zen 4 и техпроцесс 5-нм. Выпуск серии планируется в 2022-2023 годах.
Официальной информации разработчиков о характеристиках Warhol, а также следующих линейках процессоров пока нет.
Характеристики
| Название архитектуры | Ivy Bridge |
| Дата выпуска | April 2012 |
| Цена на дату первого выпуска | $186 |
| Место в рейтинге | 1566 |
| Цена сейчас | $127.99 |
| Processor Number | i5-3450 |
| Серия | Legacy Intel Core Processors |
| Status | Discontinued |
| Соотношение цена/производительность (0-100) | 15.00 |
| Применимость | Desktop |
| Поддержка 64 bit | |
| Base frequency | 3.10 GHz |
| Bus Speed | 5 GT/s DMI |
| Площадь кристалла | 160 mm |
| Кэш 1-го уровня | 64 KB (per core) |
| Кэш 2-го уровня | 256 KB (per core) |
| Кэш 3-го уровня | 6144 KB (shared) |
| Технологический процесс | 22 nm |
| Максимальная температура корпуса (TCase) | 67 °C |
| Максимальная температура ядра | 67.4°C |
| Максимальная частота | 3.50 GHz |
| Количество ядер | 4 |
| Количество потоков | 4 |
| Количество транзисторов | 1400 million |
| Максимальное количество каналов памяти | 2 |
| Максимальная пропускная способность памяти | 25.6 GB/s |
| Максимальный размер памяти | 32 GB |
| Поддерживаемые типы памяти | DDR3 1333/1600 |
| Device ID | 0x152 |
| Graphics base frequency | 650 MHz |
| Graphics max dynamic frequency | 1.10 GHz |
| Максимальная частота видеоядра | 1.1 GHz |
| Технология Intel Clear Video HD | |
| Intel Flexible Display Interface (Intel FDI) | |
| Технология Intel InTru 3D | |
| Intel Quick Sync Video | |
| Интегрированная графика | Intel HD Graphics 2500 |
| Максимально поддерживаемое количество мониторов | 3 |
| Поддержка WiDi | |
| Low Halogen Options Available | |
| Максимальное количество процессоров в конфигурации | 1 |
| Package Size | 37.5mm x 37.5mm |
| Поддерживаемые сокеты | FCLGA1155 |
| Энергопотребление (TDP) | 77 Watt |
| Thermal Solution | 2011D |
| Ревизия PCI Express | 3.0 |
| PCIe configurations | up to 1×16, 2×8, 1×8 & 2×4 |
| Технология Anti-Theft | |
| Execute Disable Bit (EDB) | |
| Технология Intel Identity Protection | |
| Технология Intel Secure Key | |
| Технология Intel Trusted Execution (TXT) | |
| Технология Enhanced Intel SpeedStep | |
| Flexible Display interface (FDI) | |
| Idle States | |
| Расширенные инструкции | Intel SSE4.1, Intel SSE4.2, Intel AVX |
| Intel 64 | |
| Intel Advanced Vector Extensions (AVX) | |
| Intel AES New Instructions | |
| Технология Intel Hyper-Threading | |
| Intel TSX-NI | |
| Технология Intel Turbo Boost | |
| Intel vPro Platform Eligibility | |
| Thermal Monitoring | |
| Intel Virtualization Technology (VT-x) | |
| Intel Virtualization Technology for Directed I/O (VT-d) | |
| Intel VT-x with Extended Page Tables (EPT) |
Производительность
1.скорость центрального процессора
4 x 3.1GHz
4 x 3.4GHz
Скорость центрального процессора показывает сколько циклов обработки в секунду может выполнять процессор, учитывая все его ядра (процессоры). Она рассчитывается путем сложения тактовых частот каждого ядра или, в случае многоядерных процессоров, каждой группы ядер.
2.поток выполнения процессора
4
4
Большее число потоков приводит к более высокой производительности и лучшему одновременному выполнению нескольких задач.
3.Кэш L2
1MB
1MB
Больше сверхоперативной памяти L2 приводит к быстрым результатам в центральном процессорном устройстве и настройках производительности системы.
4.скорость турбо тактовой частоты
3.5GHz
3.8GHz
Когда процессор работает ниже своих ограничений, он может перейти на более высокую тактовую частоту, чтобы увеличить производительность.
5.L3 кэш
6MB
6MB
Больше сверхоперативной памяти L3 приводит к быстрым результатам в центральном процессорном устройстве и настройках производительности системы.
6.L1 кэш
256KB
256KB
Больше сверхоперативной памяти L1 приводит к быстрым результатам в центральном процессорном устройстве и настройках производительности системы.
7.ядро L2
0.25MB/core
0.25MB/core
Больше данных могут быть сохранены в сверхоперативной памяти L2 для доступа каждого ядра процессора.
8.Имеет разблокированный множитель
Intel Core i5-3450
Intel Core i5-3570
Некоторые процессоры поставляются с разблокированным множителем, и их легче разогнать, что позволяет получить более высокое качество в играх и других приложениях.
9.ядро L3
1.5MB/core
1.5MB/core
Больше данных могут быть сохранены в сверхоперативной памяти L3 для доступа каждого ядра процессора.
Бенчмарки
Бенчмарки запускались на железе в стоке, то есть, без разгона и с заводскими настройками. Поэтому на разогнанных системах очки могут заметно отличаться в большую сторону. Также небольшие изменения производительности могут быть из-за версии биоса.
iGPU — FP32 Performance GFLOPS
Intel Pentium B950
106
Intel Pentium 2127U
106
Intel Core i3-2120
106
Intel Pentium 2020M
106
Intel Core i3-2100
106
Intel Core i5-3450
106
Intel Pentium 2020M
106
Intel Core i5-2400S
106
Intel Core i5-2300
106
Intel Core i5-2310
106
Intel Core i5-2320
106
Passmark
AMD FX-6350 Six-Core
4452
Intel Core i3-6320
4432
Intel Core i7-2760QM
4427
Intel Core i7-3612QM
4426
Intel Xeon L5639
4419
Intel Core i5-3450
4412
Intel Core i7-2600S
4404
Intel Core i3-6300
4389
Intel Core i3-8109U
4353
Intel Core i5-3470S
4320
Intel Core i3-7100
4293
Скорость числовых операций
|
69.8 |
||
| Минимум | Среднее | Максимум |
| 77 | Память: 87 | 94 |
|
Память |
||
| 80 | 1 ядро: 95 | 102 |
|
1 ядро |
||
| 160 | 2 ядра: 187 | 203 |
|
2 ядра |
||
|
42.1 |
||
| Минимум | Среднее | Максимум |
| 252 | 4 ядра: 351 | 392 |
|
4 ядра |
||
| 254 | 8 ядер: 354 | 394 |
|
8 ядер |
|
6.4 |
||
| Минимум | Среднее | Максимум |
| 267 | Все ядра: 357 | 393 |
|
Все ядра |
Для разных задач требуются разные сильные стороны CPU. Система с малым количеством быстрых ядер и низкими задержками памяти отлично подойдёт для подавляющего числа игр, но уступит системе с большим количеством медленных ядер в сценарии рендеринга.
Мы считаем, что для бюджетного игрового компьютера подходит минимум 4/4 (4 физических ядра и 4 потока) процессор. При этом часть игр может загружать его на 100%, подтормаживать и фризить, а выполнение любых задач в фоне приведёт к просадке ФПС.
В идеале экономный покупатель должен стремиться минимум к 4/8 и 6/6. Геймер с большим бюджетом может выбирать между 6/12, 8/8 и 8/16. Процессоры с 10 и 12 ядрами могут отлично себя показывать в играх при условии высокой частоты и быстрой памяти, но избыточны для подобных задач. Также покупка на перспективу — сомнительная затея, поскольку через несколько лет много медленных ядер могут не обеспечить достаточную игровую производительность.
Подбирая процессор для работы, изучите, сколько ядер используют ваши программы. Например, фото и видео редакторы могут использовать 1-2 ядра при работе с наложением фильтров, а рендеринг или конвертация в этих же редакторах уже использует все потоки.
Данные получены из тестов пользователей, которые тестировали свои системы как в разгоне (максимальное значение в таблице), так и без (минимальное). Типичный результат указан посередине, чем больше заполнена цветная полоса, тем лучше средний результат среди всех протестированных систем.
Rocket Lake-S
Семейство процессоров 2021 года от Intel – Rocket Lake-S, будет презентовано и допущено к продаже в январе-апреле.
Инсайдеры заявляют: 11-ое поколение устройств будет обладать качественной однопоточной производительностью.
Также компания опубликовала итоги первого тестирования: базовая частота флагманского устройства Intel Core i9-11900K составит 3,5 ГГЦ, в турбо-режиме она увеличится до 5 ГГЦ.
Ядра Cypress Cove будут работать на базе архитектуры Ice Lake, и, в отличие от 12-ого поколения, выход которого ожидается через полгода после 11-ого, изготовлены по техпроцессу 14-нм.
Тесты в играх
Измеренный нами FPS в популярных играх на Intel Core i5-3450 и соответствие системным требованиям
Обратите внимание, что официальные требования разработчиков в играх не всегда совпадают с данными реальных тестов. Также на результат сильно влияет разгон системы и графические настройки в игре
Мы тестируем на высоких настройках в разрешении FullHD, чтобы получить цифры, близкие к реальному геймплею.
В среднем по всем игровым тестам, процессор набрал 67.6 баллов из 100, где за 100 принят самый быстрый игровой процессор на сегодняшний день.
Выберите игруAquanox Deep DescentAssassin»s Creed ValhallaBaldur»s Gate 3Call of Duty Black Ops Cold WarCall of Duty Black Ops Cold War BetaCall of Duty Modern Warfare 2 RemasteredChronos Before the AshesCloudpunkCrysis: RemasteredCyberpunk 2077Death StrandingDesperados IIIDestroy All Humans!DIRT 5DisintegrationF1 2020Gears TacticsGhostrunnerGhostrunner DemoGodfallHavenHorizon Zero DawnHyper ScapeImmortals Fenyx RisingIron HarvestIron Harvest DemoKingdoms of Amalur Re-ReckoningMafia Definitive EditionMafia II Definitive EditionMaid of SkerManeaterMarvel’s AvengersMarvel’s Avengers BetaMedieval DynastyMicrosoft Flight SimulatorMortal Shell BetaPredator: Hunting GroundsProject CARS 3Saints Row The Third RemasteredSerious Sam 4Star Citizen 3.10.2Star Wars: SquadronsSyberia The World Before — PrologueThe Dark Pictures Anthology: Little HopeTorchlight IIITotal War Saga TROYWasteland 3Watch Dogs LegionXCOM Chimera SquadYakuza Like a Dragon
Сравнить
Процессоры перестанут эволюционировать к 2021 году?
Согласно закону Мура, размер и количество транзисторов на интегральной схеме каждые два года должны соответственно увеличиваться вдвое.
Эксперты Semiconductor Industry Association (Ассоциации полупроводниковой промышленности) заявили, что через несколько лет этот закон работать не будет. Разработчики не смогут найти идеальное решение, которое могло бы позволить уменьшить размер и число транзисторов без значительной потери мощности. Однако компании возлагают большие надежды на трехмерные процессоры, вмещающие больше элементов микросхемы и обеспечить высокую производительность.
Когда следует ждать новых 3 нм чипов?
В этот вторник появилась информация о том, что некоторые из новых устройств в линейке продуктов Apple 2022 года могут получить значительный прирост производительности, используя собственную разработку чипа, изготовленного по 3 нм теехпроцессу TSMC. Следует напомнить, что сейчас чипы A14 и M1 построены по технологии 5 нм. Однако компания с партнерами активно стремится сократить размеры до 3 нм.
Ссылаясь на отраслевые источники, DigiTimes через MacRumors сообщает, что компания TSMC, сотрудничающая с Apple планирует запустить производство во второй половине 2022 года. По словам источников, чипы будут использовать для iPhone и Mac
В прошлом Apple уже озвучивала планы по поводу запуска новых чипов, однако тогда об этом сообщалось с крайней степенью осторожности, так как планировалось оценить риски в 2021 году, а только потом приступить к массовому производству. Все величие компании чувствуется только в темные времена
Несмотря на пандемию, огромный дефицит полупроводников и прочих компонентов устройств, Apple, по всей видимости, полностью парировали удары судьбы и справились с первым этапом.
TSMC — компания, занимающаяся разработкой мобильных процессоров для Apple.
Многие СМИ не были так уверены в том, что возможность запуска нового чипа появится уже в 2022 году. В недавнем отчете Nikkei Asia говорилось о том, что первой моделью, в которой будет установлена новая технология будет iPad Pro, выпущенный в 2022 году, а в iPhone продолжат устанавливать процессы А серии, изготовленные по технологии 4 нм техпроцесса. Что касается чипов М1, в декабре появились слухи о том, что Apple полностью захватила производство 3 нм техпроцесса компании TSMC. Это значит, что на основе новой технологии планируют выпустить не только iPhone, но и другие линейки гаджетов от Купертино. В прошлом году я сознательно отказался от покупки MacBook с новым чипом и рассказывал об этом в статье.
Сама компания, занимающаяся производством, уверяет, что новые чипы обеспечат более высокую скорость работы и более низкое энергопотребление. Благодаря 3 нм техпроцессу производительность вырастет до 15%, а энергоэффективность вырастет до 20% соответственно.
3D моделирование на iPhone и iPad.
Какие бывают техпроцессы?
Ранние техпроцессы, до стандартизации NTRS (National Technology Roadmap for Semiconductors) и ITRS, обозначались «ХХ мкм» (мкм — микрометр), где ХХ обозначало техническое разрешение литографического оборудования. В 1970-х существовало несколько техпроцессов, в частности 10, 8, 6, 4, 3, 2 мкм. В среднем, каждые три года происходило уменьшение шага с коэффициентом 0,7.
За сорок лет развития технологий разрешение оборудования достигло значений в десятках нанометров: 32 нм, 28 нм, 22 нм, 20 нм, 16 нм, 14 нм. Если говорить про iPhone, то в пока ещё актуальном iPhone 8 используется процессор А11 Bionic, изготовленный по 10-нанометровому техпроцессу. Серийный выпуск продукции по нему начался в 2016 году тайваньской компанией TSMC, которая изготавливает процессоры и для iPhone 11.
TSMC — тайваньская компания по производству микроэлектроники, поставляющая Apple процессоры
16 апреля 2019 года компания TSMC анонсировала освоение 6-нанометрового технологического процесса, что позволяет повысить плотность упаковки элементов микросхем на 18%. Данный техпроцесс является более дешевой альтернативой 5-нанометровому техпроцессу, также позволяет легко масштабировать изделия, разработанные для 7 нм.
В первой половине 2019 года всё та же компания TSMC начала опытное производство чипов по 5-нм техпроцессу. Переход на эту технологию позволяет повысить плотность упаковки электронных компонентов по сравнению с 7-нанометровым техпроцессом на 80% и повысить быстродействие на 15%. Ожидается, что IPhone 2020 года получит процессор, созданный по новому техпроцессу, а не на втором поколении 7-нанометрового техпроцесса.
В начале 2018 года исследовательский центр imec в Бельгии и компания Cadence Design Systems создали технологию и выпустили первые пробные образцы микропроцессоров по технологии 3 нм. Судя по обычным темпах внедрения новых техпроцессов в серийное производство, ждать процессоров, изготовленных по 3-нанометровому техпроцессу, стоит не раньше 2023 года. Хотя Samsung уже к 2021 году намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием технологии GAAFET, разработанной компанией IBM.
Новые технологии производства SSD
С 2015 года будут доступны TSV-чипы, изготавливаемые из нескольких кремниевых пластин. Существенное увеличение соединений между слоями получается из изготавливаемых только из одной кремниевой пластины монолитных 3D-чипов.
Ячейки флеш-памяти в том виде, в каком они сегодня используются в твердотельных накопителях, сходны с логическими транзисторами с дополнительным компонентом — плавающим затвором. Он находится между каналом и затвором и служит в качестве накопителя электронов.
Актуальные ячейки флеш-памяти имеют ширину менее 20 нм, и потому борются с теми же проблемами миниатюризации, что и транзисторы центрального процессора: ячейки находятся настолько близко друг к другу, что накопленные заряды создают взаимные помехи.
Если уменьшить ячейки флеш-памяти, чтобы они были удалены друг от друга только на десять нанометров, контроллер SSD при считывании больше не сможет передавать правильные значения. Поэтому такие производители твердотельных дисков, как Samsung, Toshiba, SanDisk и Hynix, сегодня изменяют конструкцию: они укладывают ячейки флеш-памяти таким образом, чтобы они состояли из отдельных трубок.
В своих твердотельных накопителях компания Samsung накладывает друг над другом 24 ячейки флеш-памяти. Свой электрический заряд они накапливают в слое нитрида кремния между затвором и каналом. Это позволяет создавать более высокую плотность записи в памяти и увеличивает срок службы ячейки.
Строение ячейки флеш-памяти упрощается: так, Samsung перемещает их в своем накопителе V-Nand и дает возможность дополнительного увеличения процессов записи/удаления с 3000 до 35 000, прежде чем иссякнет ресурс.
Кроме того, Samsung намеревается в десять раз увеличить плотность записи в памяти в SSD на базе V-Nand до 2017 года. Из актуальных чипов на 128 Гбит в таком случае должны получиться чипы на 1 Тбит.
Жесткие диски из нескольких магнитных слоев: новый прототип HDD международного университета Флориды может по-разному намагничивать три лежащих один над другим слоя. Считывающая головка также получает в ответ восемь возможных полей силы, которые она интерпретирует как битовые значения. Так максимальная плотность записи в памяти жестких дисков увеличивается в три раза.
Фотографии в статье: компании-производители; Taiwan Semiconductor Manufacturing CO LTD., IMEC, Image Courtesy Lawrence Berkeley National Laboratory, Samsung Иллюстрации: Andreia Margarida DaSilva Granada
Учет отдельных атомных решеток
После 2020 года при технологическом процессе пять нанометров будут востребованы компоненты еще меньшего размера, но с хорошей проводимостью. Для этого подходят двумерные (2D) нанослои, то есть материалы, состоящие из одного слоя атомов. Уже активно исследовался графен — решетка из атомов углерода, еще идет изучение германена, силицена и станена.
Например, не так давно инженерам IBM удалось изготовить графеновый процессор, работающий на поражающей воображение частоте — 100 ГГц. Исследователи из IBM также продемонстрировали возможность выполнения графеновых транзисторов на основах, подобных традиционным кремниевым.
Прототип процессора выполнен на пластине диаметром два дюйма, но сегодня уже возможно формирование графеновых транзисторов и на пластинах большего диаметра. Графен изготавливается методом нагревания подложки из карбида кремния с испарением последнего.
Идеальные характеристики для узла пять нанометров с 2019 года обещают монослои. Через эти однослойные атомные решетки электроны двигаются беспрепятственно. Некоторые материалы, такие как станен пока только исследуются.
Общая информация
1.Поддерживает 64-разрядную систему
Intel Core i5-3450
Intel Core i5-3570
32-разрядная операционная система может поддерживать до 4 Гб оперативной памяти. 64-разрядная позволяет более 4 Гб, что повышает производительность. Она также позволяет запускать 64-разрядные приложения.
2.размер полупроводников
22nm
22nm
Меньший размер указывает на более новый процесс создания чипа.
3.тактовая частота ГП
650MHz
650MHz
Графический процессор (GPU) имеет более высокую тактовую частоту.
4.Конструктивные требования по теплоотводу (TDP)
77W
77W
Требования по теплоотводу (TDP) — это максимальное количество энергии, которое должна будет рассеять система охлаждения. Более низкое значение TDP также обычно означает меньшее энергопотребление.
5.версия PCI Express (PCIe)
3
3
PCI Express (PCIe) — это высокая скорость стандарта карты расширения, которая используется для подключения компьютера к его периферии. Новые версии поддерживают более высокую пропускную способность и предоставляют более высокую производительность.
6.температура процессора
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Intel Core i5-3450)
Неизвестно. Помогите нам, предложите стоимость. (Intel Core i5-3570)
Если процессор превышает максимальную рабочую температуру, то может произойти случайный сброс.
7.версия DirectX
11
11
DirectX используется в играх с новой версией, поддерживающей лучшую графику.
8.количество транзисторов
1200 миллионов
1200 миллионов
Более высокое число транзисторов обычно указывает на новый, более мощный процессор.
9.версия OpenGL
4
4
Чем новее версия OpenGL, тем более качественная графика в играх.
Новые типы транзисторов
Проблемой миниатюризации в чипах является то, что транзисторы меньшего размера можно получить только изменением конструкции. В своих новых транзисторах с кодовым именем Tri-Gate компания Intel первой применила новый индустриальный стандарт FinFET (от англ. Fin Field Effect Transistors — трехмерные транзисторы) — один из вариантов техпроцесса, который позволит перейти на еще меньшие геометрические размеры транзисторов.
FinFET представляет отдельные транзисторы внутри микросхем уже не в плоском (планарном) виде, а в форме 3D-конструкции, что дает технологические преимущества. В FinFET-транзисторе канал, исток и сток отделяется от субстрата. Канал имеет лишь незначительную примесь с чужеродными атомами, а субстрат не имеет ее вовсе. Это значительно уменьшает ток утечки и позволяет использовать узлы размером вплоть до 10 нм.
Однако длина затвора транзистора и минимальное разрешение литографии техпроцесса — это не одно и то же. Для примера, длина затвора на 16-нанометровом процессе TSMC — 30 нм.
Специализирующийся на процессорах аналитик Малколм Пенн ожидает для выпускаемых в следующем году транзисторов с длинами затворов в диапазоне между 17 и 20 нм. Если есть намерение достигнуть длины менее 10 нм в 2017–2018 годах, потребуются другие материалы и новая конструкция транзисторов.
Технология FinFET работает до десяти нанометров без возникновения тока утечки. При использовании нанопроводов (менее десяти нанометров) влияние затвора еще выше.
Технология FinFET заключает исток, сток и канал в «плавник», отделенный от субстрата. В 2015 году он останется единственным типом транзистора для размера менее 20 нм.Нанопровод обходится без субстрата, а затвор полностью охватывает канал
Что меняет технология
Технология SuperFin вносит изменения и улучшения в строение обычных FinFET-транзисторов. В дополнение к этому, определенные усовершенствования появляются и в металлических межсоединениях этих транзисторов.
Старому техпроцессу — усовершенствованные транзисторы
Сами транзисторы получили увеличенную напряженность в кристаллической решетке так называемой «эпитаксиальной пленке» на стоке и истоке. Результатом этой модификации стало снижение сопротивления переходов на 30% и наращивание тока, проходящего через канал.
Использование SuperFin также привело уменьшению времени, затрачиваемому на переключение транзистора, а также к пятикратному улучшению емкостного сопротивления при сохранении занимаемой площади.
«Магия» SuperFin возможна только при использовании новых диэлектриков
Все это стало возможным за счет использования Hi-K диэлектриков нового класса. Они объединяются в специальные сверхтонкие слои и тем самым создают повторяющуюся решетчатую структуру.
